El almacenamiento óptico de IBM es 50 veces más rápido que el...

El almacenamiento óptico de IBM es 50 veces más rápido que el flash

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La memoria de cambio de fase es también más económica que la RAM.

El almacenamiento flash es muy lento para la memoria principal de tu dispositivo, pero la RAM es costosa y volátil. Gracias a un descubrimiento de IBM, la memoria de cambio de fase (PCM) pudiera algún día reemplazar a ambas.

El almacenamiento basado en cristal ha sido usado en discos ópticos y en otras tecnologías por al menos 15 años, pero la tecnología ha sido limitada por el costo y la densidad de almacenamiento –las células están ya sea encendidas o apagadas. Sin embargo, los investigadores de IBM han descubierto cómo guardar 3-bits de datos por célula, incrementando dramáticamente la capacidad de la tecnología original.

Para almacenar datos PCM en un disco Blu-Ray, aplicas alta corriente a materiales amorfos (no cristalinos) de vidrio, transformándolos en una forma cristalina más conductiva. Para leer los datos, aplicas un bajo voltaje para medir la conductividad –cuando es alta, el estado es “1,” y cuando es baja, es “0.” Al calentar los materiales, más estados pueden ser almacenados, pero el problema es que los cristales pueden “desviarse” dependiendo de la temperatura de ambiente.

El equipo de IBM encontró la manera de rastrear y codificar esas variaciones, permitiéndoles leer confiablemente 3-bits de datos por célula mucho después de haber sido escritos.

Eso hace que de repente la PCM sea mucho más interesante –su velocidad es actualmente mucho mejor que la memoria flash, pero los costos son tan altos como los de la RAM gracias a su baja densidad. “Alcanzar 3 bits por célula es un logro significativo porque a esta densidad, el costo de la PCM será significativamente menor que cualquier DRAM y más cercano al flash,” dice el Dr. Haris Pozidis de IBM Research. Con este descubrimiento, la memoria de cambio de fase pudiera ser factible para más que sólo los discos ópticos.

Por ejemplo, la memoria PCM pudiera ser usada en conjunto con la memoria flash para crear un cache extremadamente rápido para un teléfono celular. “El sistema operativo de un teléfono móvil pudiera ser almacenado en una PCM, permitiéndole al teléfono lanzarse en pocos segundos,” de acuerdo a los investigadores.

Pudiera también reemplazar las SSD regulares para aplicaciones críticas en cuanto al tiempo, porque la memoria PCM puede leer datos en menos de un microsegundo, comparado a 70 microsegundos para la memoria flash. La memoria RAM es mucho más rápida, por supuesto, pero en ciertas aplicaciones la PCM pudiera funcionar como un almacenamiento universal y reemplazar tanto a la memoria RAM como la memoria flash.

La investigación aún necesita ser desarrollada comercialmente, y tiene que competir con otras tecnologías que prometen como ‘Memristors’ y ‘resistive RAM’. IBM cree que su tecnología es más que factible y la ve como el almacenamiento perfecto para las aplicaciones de inteligencia artificial.

Fuentes:

http://www.cwv.com.ve/ibm-podria-tener-una-alternativa-a-dram-mas-barata/

http://globbpartner.com/ibm-almacenamiento-flash-3602/

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